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[发明专利]功率半导体-CN201210153450.5有效
发明人：欧拉夫·兹施昌;安德斯·拉施克·恩德斯 -专利权人： IXYS半导体有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有承载板及功率和控制连接器的功率半导体。本发明的功率半导体具有承载板和外壳，在该承载板上设置至少一个功率半导体元器件，该外壳至少部分围绕带有至少一个功率半导体元器件的承载板。该功率半导体元器件与功率和控制连接器电连接，该连接器从外壳中引出。功率连接器在外壳一面上设置为一排，并且控制连接器在外壳另一面上设置为一排，其中并排设置的功率连接器之间的间隔大于并排设置的控制连接器之间的间隔。由于外壳两侧上的功率和控制连接器的特殊布局，特别是在有高电压和强电流的使用中产生改善了的电气特性，因为与已知的功率半导体相比，用于电气间隙和爬电距离的绝缘距离更大。
功率半导体

[发明专利]功率半导体-CN202010307253.9在审
发明人：柯作同;柯心睿;廖光明;廖振宇 -专利权人：柯作同;柯心睿;廖光明;廖振宇
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的功率半导体包括一闸极、一源极、一硅芯片及一汲极。其中，源极包括一第一铜颗粒层及一第一金属层，第一铜颗粒层覆盖第一金属层的上方表面。硅芯片接合于第一金属层的下方表面。汲极接合于硅芯片的下方表面。
功率半导体

[发明专利]功率半导体模块和用于运行功率半导体模块的方法-CN201010609447.0有效
发明人： D·多梅斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种功率半导体模块，所述功率半导体模块包括常通的可控的第一功率半导体开关和常断的可控的第二功率半导体开关，该第一功率半导体开关包括至少一个第一功率半导体芯片，并且该第二功率半导体开关包括至少一个第二功率半导体芯片第一功率半导体开关和第二功率半导体开关的负载路径以串联方式连接。所有第一功率半导体芯片的控制端子永久性地导电连接到导电带，任何一个第一功率半导体芯片的负载端子都不永久性地导电连接到该导电带，并且任何一个第二功率半导体的负载端子和控制端子都不永久性地导电连接到该导电带
功率半导体模块用于运行方法

[发明专利]功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件-CN201210291910.0无效
发明人： F.杜加尔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明名称为“功率半导体布置、具有多个功率半导体布置的功率半导体模块以及包含多个功率半导体模块的模块组装件”。本发明提供功率半导体布置(1)，其包括含钼层(4)的基板(2)，以及安放到基板(2)顶面并与之电耦合及热耦合的功率半导体器件(3)，其中基板(2)包含金属安放基底(6)，金属安放基底(6)设置在半导体器件(3)与钼层(4)之间并防止钼层(4)与半导体器件(3)形成高电阻金属间相。本发明进一步提供半导体模块，特别是具有多个半导体布置的功率半导体模块，其中功率半导体布置(1)的基板(2)是公共基板(2)。本发明还提供模块组装件，特别是功率半导体模块组装件，其包含多个功率半导体模块，其中半导体模块互相并排设置且相邻半导体模块之间有电连接。
功率半导体布置具有模块以及包含组装

[发明专利]功率半导体电路-CN201410295545.X有效
发明人：哈拉尔德·科波拉;冈特·柯尼希曼;京特·卡岑贝格尔;雅伊尔·多·纳西门托-辛格 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体电路，其具有：多个电并联的功率半导体开关，其中，功率半导体电路构造成：在其中单个功率半导体开关中对涉及的功率半导体开关的出现在第一和第二负载电流接头之间的功率半导体开关电压进行监控，和驱控单元，其构造用以产生用于驱控功率半导体开关的驱控信号，驱控单元与功率半导体开关的控制接头和第二负载电流接头电连接，其中，共模扼流圈分别电联接在功率半导体开关电压不被监控的功率半导体开关与驱控单元之间，并且没有共模扼流圈电联接在功率半导体开关电压被监控的功率半导体开关与驱控单元之间。本发明的功率半导体电路实现了功率半导体开关间尽可能均匀的电流分布及对其中一个开关上的开关电压的可靠监控。
功率半导体电路

[发明专利]一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路-CN202011102501.2在审
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
一种用于抑制非线性阻抗驱动电路

[实用新型]一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路-CN202022302133.8有效
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
一种用于抑制非线性阻抗驱动电路

[实用新型]集成母线电容的功率半导体模块的封装结构-CN202220289745.4有效
发明人：朱楠;邓永辉;史经奎;梅营;徐贺 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体模块封装技术领域，公开了一种集成母线电容的功率半导体模块的封装结构，包括功率半导体器件；主电路绝缘基板，所述功率半导体器件设置在所述主电路绝缘基板的正面；正母线区域，设置在所述主电路绝缘基板的正面且位于所述功率半导体器件的下方该封装结构通过将多个半导体母线电容通过正母线区域和负母线区域与功率半导体器件连接，使得功率半导体器件与多个半导体母线电容一体封装，大幅度提高了系统的功率密度，此时半导体母线电容靠近功率半导体器件，可以减小功率回路的寄生电感；同时半导体母线电容利用主电路绝缘基板散热，能够提高半导体母线电容的散热效率。
集成母线电容功率半导体模块封装结构

[发明专利]半导体装置-CN201710506670.4有效
发明人：宫沢繁美 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： F02P3/05 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，包括将功率半导体器件切实地切换为截止的驱动电路。该半导体装置具备：功率半导体元件，连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间，根据栅极电位被控制为导通或截止；第一栅极控制部，根据从控制端子输入的、控制功率半导体元件的控制信号来控制功率半导体元件的栅极电位；放电电路，连接于功率半导体元件的栅极与基准电位之间，使充电到功率半导体元件的栅极的电荷放出；第二栅极控制部，根据功率半导体元件的集电极电流来控制功率半导体元件的栅极电位；反馈部，根据功率半导体元件的集电极电位向功率半导体元件的栅极反馈电荷；以及电流切断部，根据控制信号将从第一端子流向功率半导体元件的栅极的电流切断。
半导体装置

[发明专利]功率半导体模块制备方法及功率半导体模块-CN202110939295.9在审
发明人：杜若阳;吕镇;郭朝阳;武伟;吴炳智 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种功率半导体模块制备方法，包括塑封功率器件形成功率半导体组件，在所述功率半导体组件表面形成第一散热面。加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料。冷却所述第一散热面的所述第一材料，以连接所述功率半导体组件和所述第一散热器。该功率半导体模块制备方法通过先塑封再焊接的形式制作功率半导体模块，使得功率半导体模块具有更佳的整体性，能够让功率半导体模块具有更强的防水性能，当这种功率半导体模块的第一散热器通过液冷带走热量时，冷却液不易渗透到功率半导体模块的功率半导体组件中本申请还提供一种功率半导体模块。
功率半导体模块制备方法

[实用新型]并联结构的功率半导体模组-CN202220855825.1有效
发明人：朱楠;徐贺;瞿博;史经奎 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种并联结构的功率半导体模组，包括：并联的多个功率半导体单元，所述功率半导体单元包括上桥臂功率半导体器件和下桥臂功率半导体器件，所述上桥臂功率半导体器件的源极功率端子与所述下桥臂功率半导体器件的漏极功率端子连接，构成所述功率半导体单元的交流输出端子；短接结构，并联的多个功率半导体单元的交流输出端子均与所述短接结构连接；交流输出母线，所述短接结构通过一个或多个连接结构与所述交流输出母线连接；所述上桥臂功率半导体器件的漏极功率端子连接正母线，所述下桥臂功率半导体器件的源极功率端子连接负母线。本实用新型能够极大地减小交流输出端寄生电感，提高功率模组可靠性。
并联结构功率半导体模组

[实用新型]半导体模块-CN201220188240.5有效
发明人：板桥竜也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供能够搭载多个功率半导体元件，并具有简单的结构的半导体模块。本实用新型的半导体模块的特征在于，将功率半导体元件配置为大致一条直线，将控制半导体元件配置为相对于功率半导体元件的大致直角状。另外，其特征在于，控制半导体元件为驱动半导体元件和控制性半导体元件，在驱动半导体元件上具有过热保护电路，驱动半导体元件与功率半导体元件侧邻接配置。另外，其特征在于，半导体元件除了搭载有功率半导体元件和控制半导体元件以外还搭载有保护半导体元件。
半导体模块

[发明专利]功率半导体模块、其制造方法和电转换器-CN202180087075.6在审
发明人： S·基辛;G·里德尔;J·舒德雷尔;F·莫恩 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率半导体模块(34)，其包括承载多个功率半导体器件(10)的衬底(12)，其中，所述多个功率半导体器件(10)包括第一组功率半导体器件(10)和第二组至少一个功率半导体器件(10)。第一组功率半导体器件(10)由至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)组成，并且第二组功率半导体器件(10)由至少一个损坏的功率半导体器件(10a)组成。所述至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)以并联配置电互连，并且第二组至少一个功率半导体器件(10)与第一组功率半导体器件(10)的成员电分离。本公开进一步涉及一种电转换器和一种用于制造功率半导体模块(34)的方法。
功率半导体模块制造方法转换器

[发明专利]用于增加功率模块的可靠性的装置和方法-CN202180024824.0在审
发明人： J·C·布兰德勒罗;S·莫洛夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于增加功率模块的可靠性的方法和装置，功率模块由并联连接的多个功率半导体组成，功率半导体通过金属连接来连接到功率模块的封装的外部引脚。本发明：‑根据标准在并联连接的功率半导体当中选择一个功率半导体，‑向并联连接的未选功率半导体施加相同的输入图案，‑增加所选功率半导体的温度以便在一定持续时间期间达到功率半导体的目标温度，以便实现所选功率半导体的金属连接的界面晶粒匀质化，‑在所述持续时间之后向所选功率半导体施加相同的输入图案。
用于增加功率模块可靠性装置方法

[发明专利]谐振型高频电源装置及谐振型高频电源装置用开关电路-CN201380080618.7有效
发明人：阿久泽好幸;酒井清秀;江副俊裕;伊藤有基 -专利权人：三菱电机工程技术株式会社
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：谐振型高频电源装置包括进行开关动作的功率半导体元件，所述谐振型高频电源装置包括：为了实现功率半导体元件及自身的寄生电容的优化而与该功率半导体元件并联连接的至少1个以上的第2功率半导体元件；以及向功率半导体元件及第2功率半导体元件传送超过2MHz的高频的脉冲状电压信号以使该功率半导体元件及第2功率半导体元件驱动的高频脉冲驱动电路(1)。
谐振高频电源装置开关电路

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